[发明专利]判断铜扩散阻挡层阻挡能力的方法及其结构在审
| 申请号： | 202010408314.0 | 申请日： | 2020-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN111584383A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 胡小波 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/532 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 唐秀萍 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种判断铜扩散阻挡层阻挡能力的方法及其结构，包括：步骤S1、在玻璃基板上形成a‑Si半导体层、铜扩散阻挡层以及铜电极层，并形成图案化；步骤S2、在玻璃基板上形成透明电极层；步骤S3、对玻璃基板进行高温恶化处理；步骤S4、观察玻璃基板的复合膜层样片表面呈现黑色铜‑硅合金层的程度；步骤S5、更换所述步骤S1中的所述铜扩散阻挡层的材料，并重复步骤S1‑步骤S4，观察不同的铜扩散阻挡层材料制成的复合膜层样片表面颜色变化情况。本发明提供的判断铜扩散阻挡层阻挡能力的方法及其结构可以快速有效的判定各种铜扩散阻挡层材料的阻挡特性。 | ||
| 搜索关键词： | 判断 扩散 阻挡 能力 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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