[发明专利]一种高压功率半导体器件在审
| 申请号： | 202010410064.4 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN113675257A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 金锐;刘江;吴军民;高明超;张金平;张波 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院;电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高压功率半导体器件结终端结构，包括：元胞结构和终端结构；在所述元胞结构上部具有弧形槽，所述终端结构包括多种不同导电类型的掺杂条；各不同导电类型的掺杂条相间设置于所述元胞结构上部的槽中，本发明有效解决了传统结终端扩展终端结构的工艺容差小，工艺复杂，终端耐压小，可靠性低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
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