[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010411141.8 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN112310197A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 金熙洙;杨永镐;李昌秀;申完燮 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L27/11521;H01L27/11551;H01L27/11568;H01L27/11578;H01L27/24;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括：源极结构；位线；层叠结构，该层叠结构位于源极结构和位线之间；源极接触结构，该源极接触结构穿过层叠结构并且电联接到源极结构；以及保护图案，该保护图案插置在源极接触结构和源极结构之间并且根据保护图案的区域具有变化的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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