[发明专利]半导体器件在审
申请号: | 202010411201.6 | 申请日: | 2020-05-15 |
公开(公告)号: | CN111952358A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 梁正吉;金善昱;朴俊范;金兑映;裵金钟 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L29/423 | 分类号: | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/78;H01L27/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 弋桂芬 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种半导体器件包括:第一和第二鳍型图案;与第一和第二鳍型图案交叉的第一和第二栅极图案;第三和第四栅极图案,在第一和第二栅极图案之间且与第一鳍型图案交叉;第五栅极图案,与第二鳍型图案交叉;第六栅极图案,与第二鳍型图案交叉;第一至第三半导体图案,分别设置在第一栅极图案和第三栅极图案之间、第三栅极图案和第四栅极图案之间以及第四栅极图案和第二栅极图案之间;以及第四至第六半导体图案,分别设置在第一栅极图案和第五栅极图案之间、第五栅极图案和第六栅极图案之间以及第六栅极图案和第二栅极图案之间。第一半导体图案至第四半导体图案和第六半导体图案电连接到布线结构,第五半导体图案不连接到布线结构。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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