[发明专利]消磁装置及半导体加工设备有效

专利信息
申请号: 202010412900.2 申请日: 2020-05-15
公开(公告)号: CN111554470B 公开(公告)日: 2022-10-21
发明(设计)人: 邱赛舟;马恩泽 申请(专利权)人: 北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号: H01F13/00 分类号: H01F13/00;H01J37/02
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;王婷
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种消磁装置及半导体加工设备,该消磁装置用于消除半导体加工设备的反应腔室周围的环境磁场,且包括:电磁主体,围绕在反应腔室周围,用于产生补偿磁场;磁场传感器,设置在电磁主体与反应腔室之间,用于检测环境磁场的实时数据;以及控制模块,用于接收磁场传感器发送的实时数据,并根据实时数据调节补偿磁场的大小和方向,以使补偿磁场与环境磁场的大小相同,且方向相反。本发明实施例,可以通过感知反应腔室周围环境的环境磁场,提供一个与之大小相同,且方向相反的补偿磁场,从而可以抵消环境磁场,改善磁场屏蔽效果,进而改善环境磁场对工艺均匀性带来的影响。
搜索关键词: 消磁 装置 半导体 加工 设备
【主权项】:
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