[发明专利]一种等离子体处理装置及其导磁组件与方法在审

专利信息
申请号: 202010414741.X 申请日: 2020-05-15
公开(公告)号: CN113675063A 公开(公告)日: 2021-11-19
发明(设计)人: 尹诗流 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/67
代理公司: 上海元好知识产权代理有限公司 31323 代理人: 徐雯琼;章丽娟
地址: 201201 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种等离子体处理装置及其导磁组件与方法,装置包括:反应腔,其包括反应腔侧壁;介电窗,位于所述反应腔侧壁上;线圈,位于所述介电窗上;导磁组件,包含位于介电窗上的导电部件和位于介电窗上的导磁件,导磁件设置在至少部分导电部件的周围。本发明将导磁件与介电窗上的至少导电部件接触或设置在介电窗上的至少导电部件的周围,使介电窗上的线圈产生的电磁场更多地沿导磁件进入反应腔,减小输入到反应腔内的射频功率损耗,提高晶圆刻蚀效率。
搜索关键词: 一种 等离子体 处理 装置 及其 组件 方法
【主权项】:
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