[发明专利]一种25G抗反射激光器的制备工艺在审
申请号: | 202010415176.9 | 申请日: | 2020-05-15 |
公开(公告)号: | CN111541148A | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 董延;李马惠;潘彦廷 | 申请(专利权)人: | 陕西源杰半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01S5/12 | 分类号: | H01S5/12;H01S5/22 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 姚咏华 |
地址: | 712000 陕西省咸阳市西咸新区沣西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种25G抗反射激光器的制备工艺,包括基板和和依次设置在基板上的有源区、第一包层和衍射光栅层,第一包层和衍射光栅层一端设置有端面刻蚀区,端面刻蚀区底部位于基板内,且端面刻蚀区内生长有抗反射层;衍射光栅层和抗反射层上依次覆盖有第二包层、接触层和p‑金属电极层,基板下表面镀有n‑金属电极层,抗反射层的一端镀上抗反射镀膜层,另一端镀上高反射镀膜层。本发明的制备工艺实现简单且不改变激光器本身原有的特性,通过使端面的光波导层与有源区层形成上下错位,使得光在沿原路返回时不会进入有源区,解决了输出端光反射对有源区造成的扰动问题,且在封装过程中不用再使用价格昂贵的光隔离器件,降低了封装的成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 25 反射 激光器 制备 工艺 | ||
【主权项】:
暂无信息
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