[发明专利]AgNWs@Si@GO锂离子电池负极材料、其制备及采用其的锂离子电池在审
| 申请号： | 202010415558.1 | 申请日： | 2020-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN111564616A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 魏剑;秦葱敏;庞欣;乔师帅;陈甜甜;张雪萍;姜超;张昊 | 申请（专利权）人： | 西安建筑科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 段俊涛 |
| 地址： | 710055*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及AgNWs@Si@GO锂离子电池负极材料、其制备及采用其的锂离子电池，属于锂离子电池负极材料制备领域。本发明的AgNWs@Si@GO复合负极材料，包括内核和外壳两部分，内核为AgNWs，外壳为Si@GO复合体，Si@GO复合体包覆于AgNWs内核，一方面降低比表面积，另一方面防止硅与电解液的直接接触，避免产生不稳定的SEI膜，提高首次充放电效率。采用本发明的AgNWs@Si@GO复合负极材料制得的锂离子电池具有比容量高、首次效率高、循环性能佳等优势。 | ||
| 搜索关键词： | agnws si go 锂离子电池 负极 材料 制备 采用 | ||
【主权项】：
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