[发明专利]选通器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010416576.1 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN111554810B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 宋兵;李清江;刘森;王伟;曹荣荣;徐晖;刁节涛;于红旗;李楠;刘海军;李智炜;陈长林;王义楠;步凯;王玺 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人： | 裴素英 |
| 地址： | 410000 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请提供一种选通器件及其制备方法，涉及微纳电子器件技术领域。该选通器件包括从下到上依次设置在衬底上的下电极、第一绝缘层、第二绝缘层以及上电极；其中，下电极为惰性电极，上电极为活性电极，第一绝缘层的金属离子迁移率小于第二绝缘层的金属离子迁移率。本申请的方案中，通过在选通器件中下电极和上电极之间设置金属离子迁移率不同的两个绝缘层，即第一绝缘层和第二绝缘层，通过第一绝缘层的金属离子迁移率小于第二绝缘层的金属离子迁移率这一特性，控制导电通道重新连通的位置，降低了新形成的导电通道的位置的随机性，有效降低了不同循环操作中阈值电压的波动，有效支撑选通器件在忆阻器交叉阵列中的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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