[发明专利]一种提高后段金属线通孔的工艺窗口的方法有效
| 申请号： | 202010417479.4 | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN111564410B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 陈睿;都安彦;韦亚一;粟雅娟;杨红;董立松;张利斌;苏晓菁;王文武 | 申请（专利权）人： | 南京诚芯集成电路技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 南京苏博知识产权代理事务所(普通合伙) 32411 | 代理人： | 柳强 |
| 地址： | 211899 江苏省南京市浦口区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高后段金属线通孔的工艺窗口的方法，利用自对准双重成像结构或者大马士革结构在衬底上制造金属线沟槽，并进行沉积光刻后，利用光刻工艺曝光自对准通孔，并蚀刻所述第一硬掩膜；以设定倾角对所述第一硬掩膜的侧壁在关键方向注入硼离子，并通过得到的两个所述蚀刻选择对所述第二硬掩膜进行过蚀刻，扩大所述第二硬掩膜的非关键方向的尺寸；根据对所述第二硬掩膜过蚀刻后得到的图形，对所述平坦化层进行蚀刻，打开所述通孔；最后利用大马士革工艺对所述通孔填充金属后，对所述通孔进行机械化抛光，提高蚀刻的工艺窗口，提高良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 后段 金属线 工艺 窗口 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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