[发明专利]一种应用于钕铁硼的非晶铝锰涂层的HIPIMS制备方法有效

专利信息
申请号: 202010418357.7 申请日: 2020-05-18
公开(公告)号: CN111560589B 公开(公告)日: 2021-03-05
发明(设计)人: 夏原;李光 申请(专利权)人: 中国科学院力学研究所
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/16
代理公司: 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 代理人: 胡剑辉
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种应用于钕铁硼的低锰含量非晶铝锰涂层的HIPIMS制备方法,制备铝锰‑稀土以作为复合靶材;先对钕铁硼磁材进行研磨清洗和真空离子轰击清洗;磁材温度降低至120~150℃,调整真空室内氩气流量至工作真空度0.3~0.8Pa,开启脉冲电源且与靶材基距为60~100mm,负偏压为50‑150V,峰值功率密度为500~800W/cm2,然后开始脉冲磁控溅射镀膜,控制磁材温度不超过200℃,持续镀膜30‑60min后停止;待磁材冷却后,对真空室充气,取出镀膜后的磁材,完成镀膜过程。本发明通过调整靶基距、偏压、基片温度和功率等参数得到了最适合于制备非晶铝锰涂层的磁控溅射工艺参数,降低了形成铝锰非晶结构所需要的锰含量。
搜索关键词: 一种 应用于 钕铁硼 非晶铝锰 涂层 hipims 制备 方法
【主权项】:
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