[发明专利]3D存储器件及其制造方法

摘要

公开了一种3D存储器件及其制造方法，器件包括：衬底；存储单元阵列，位于所述衬底上，所述存储单元阵列包括栅叠层结构以及贯穿所述栅叠层结构的多个沟道柱，所述栅叠层结构包括交替堆叠的多个栅极导体层和多个层间绝缘层，所述多个沟道柱的底端和所述衬底连接；多个字线导电通道，所述多个字线导电通道至少贯穿部分所述栅极导体层和层间绝缘层，每个字线导电通道分别与相应的栅极导体层电连接。本申请的3D存储器件中，字线导电通道通过孔接触的方式与相应的栅极导体层连接，不仅降低了字线导电通道受到的应力，而且字线导电通道的位置将不再限于台阶区域的位置和结构。