[发明专利]红外焦平面探测器的芯片组件及其制备方法有效
申请号: | 202010418620.2 | 申请日: | 2020-05-18 |
公开(公告)号: | CN111640803B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 任秀娟;李春领;崔戈;宁提;亢喆;谭振;马涛;李忠贺;张克 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/101;H01L31/18 |
代理公司: | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人: | 张然 |
地址: | 100015*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种红外焦平面探测器的芯片组件及其制备方法。红外焦平面探测器的芯片组件,包括:锑化铟芯片;一氧化硅薄膜,设于锑化铟芯片的背面。采用本发明,通过采用一种机械附着力、硬度及应力、以及化学性质稳定性均比硫化锌还高的一氧化硅作为制备锑化铟芯片背增透薄膜的薄膜材料,可以避免背增透薄膜脱模的情况,提高探测器性能的稳定性,且一氧化硅薄膜表面光洁,一氧化硅薄膜的附着力、牢固度满足了红外焦平面探测器使用的环境要求,提高了批量生产红外焦平面探测器的合格率,有利于降低成本。 | ||
搜索关键词: | 红外 平面 探测器 芯片 组件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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