[发明专利]红外焦平面探测器的芯片组件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010418620.2 申请日: 2020-05-18
公开(公告)号: CN111640803B 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: 任秀娟;李春领;崔戈;宁提;亢喆;谭振;马涛;李忠贺;张克 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十一研究所
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/101;H01L31/18
代理公司: 工业和信息化部电子专利中心 11010 代理人: 张然
地址: 100015*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种红外焦平面探测器的芯片组件及其制备方法。红外焦平面探测器的芯片组件,包括:锑化铟芯片;一氧化硅薄膜,设于锑化铟芯片的背面。采用本发明,通过采用一种机械附着力、硬度及应力、以及化学性质稳定性均比硫化锌还高的一氧化硅作为制备锑化铟芯片背增透薄膜的薄膜材料,可以避免背增透薄膜脱模的情况,提高探测器性能的稳定性,且一氧化硅薄膜表面光洁,一氧化硅薄膜的附着力、牢固度满足了红外焦平面探测器使用的环境要求,提高了批量生产红外焦平面探测器的合格率,有利于降低成本。
搜索关键词: 红外 平面 探测器 芯片 组件 及其 制备 方法
【主权项】:
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