[发明专利]碳化硅晶体及碳化硅晶种片在审
| 申请号： | 202010418933.8 | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN112048768A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 余文怀;刘建成;林钦山;李依晴 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B35/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 杜升 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种碳化硅晶体及碳化硅晶种片，所述碳化硅晶种片包含材质为单晶碳化硅的一晶棒生长区、材质为碳化硅的一缺陷阻隔区、及材质为碳化硅的应力吸收区。所述缺陷阻隔区呈环状且围绕于所述晶棒生长区的外周缘。所述缺陷阻隔区为一非共格界面。所述应力吸收区呈环状且围绕于所述缺陷阻隔区的外周缘。据此，所述碳化硅晶种片能在晶棒生长区的外侧形成有呈非共格界面的缺陷阻隔区及应力吸收区，以避免晶棒生长区受到外部环境影响、并有效地降低晶棒生长区内的缺陷的生长速度。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶体 晶种片 | ||
【主权项】：
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