[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子设备在审
| 申请号： | 202010421260.1 | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN113690219A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 郭炳容;卢一泓;李俊杰;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768;H01L27/108;H01L21/8242;H01L27/22;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，以干法刻蚀的方式形式空气侧墙，确保形成空气侧墙时临近空气侧墙的侧壁或底部的相应接触结构不会产生电化学腐蚀现象，使得相应接触结构具有良好的导电性能，从而提升半导体器件的工作性能。所述半导体器件包括：基底、位线结构和侧墙结构。具有有源区的基底。位线结构形成在有源区上。侧墙结构形成在基底上。侧墙结构环绕在位线结构的侧壁。侧墙结构包括空气侧墙、以及围成空气侧墙的介质侧墙，介质侧墙位于空气侧墙顶部的部分所含有的材料为透气性材料。所述半导体器件的制作方法用于制作上述技术方案所提的半导体器件。本发明提供的半导体器件应用于电子设备中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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