[发明专利]磁体阵列的一步处理在审
| 申请号： | 202010422050.4 | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN111952062A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·W·德格纳;李万锋;弗朗哥·伦纳迪 | 申请（专利权）人： | 福特全球技术公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;C22F1/16;C22F1/18 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王秀君;鲁恭诚 |
| 地址： | 美国密歇根*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供“磁体阵列的一步处理”。一种形成退火磁体的方法包括将磁化阵列环与块状磁性材料环同心地定位以形成组件，所述磁化阵列环具有限定用于使所述块状磁性材料环的晶粒取向的方向的磁场；将所述组件放入炉中；以及操作所述炉以使所述块状磁性材料环退火并使所述晶粒在所述方向上生长。一种磁性阵列组件包括炉；以及组件，所述组件包括(i)块状磁性材料环，所述块状磁性材料环具有晶粒，和(ii)磁化阵列环，所述磁化阵列环与所述块状磁性材料环同心，并且具有限定用于使所述晶粒在来自所述炉的热量存在下在其生长期间取向的方向的磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 磁体 阵列 一步 处理 | ||
【主权项】：
暂无信息
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