[发明专利]基于厚栅介质层电极一步成型的AlGaN/GaN MIS-HEMT器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于厚栅介质层电极一步成型的AlGaN/GaN MIS‑HEMT器件及其制备方法，基于厚栅介质层电极一步成型的AlGaN/GaN MIS‑HEMT器件，包括自下而上依次设置的衬底、AlN成核层、AlGaN或GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和厚绝缘栅介质层；厚绝缘栅介质层上刻蚀或腐蚀有源极区域和漏极区域，源极区域和漏极区域之间设有栅极区域，源极区域设有源电极，漏极区域设有漏电极，栅极区域设有栅电极，源电极、漏电极和栅电极一步成型，并一起经历欧姆电极的合金化退火工艺。本发明基于厚栅介质层电极一步成型的AlGaN/GaN MIS‑HEMT器件，源极、漏极、栅极同时蒸发同样的金属叠层，一步成型，大大简化了工艺制程，节省了成本，并且得到了高性能的AlGaN/GaN MIS‑HEMT器件；可以应用于高效功率开关以及射频器件中。