[发明专利]包括数据存贮材料图案的半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010423728.0 | 申请日： | 2020-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN112054119A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 朴正熙;朴洸珉;朴志镐;吴圭焕;李政武;堀井秀树 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 田野;韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：基体结构，包括半导体基底；第一导电结构，设置在基体结构上，并且在第一方向上延伸，第一导电结构包括下层，并且下层之中的至少一个下层包括碳；数据存贮材料图案，设置在第一导电结构上。所述半导体器件还包括：中间导电图案，设置在数据存贮材料图案上并且包括中间层，中间层之中的至少一个中间层包括碳；开关材料图案，设置在中间导电图案上；以及开关上电极图案，设置在开关材料图案上并且包括碳。所述半导体器件还包括：第二导电结构，设置在开关上电极图案上，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及孔间隔件，设置在数据存贮材料图案的侧表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 数据 存贮 材料 图案 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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