[发明专利]一种阵列基板及其制作方法

摘要

本申请提供一种阵列基板及其制备方法，所述阵列基板包括：层叠设置的衬底、缓冲层、栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、层间介质层，源漏极层，其中，有源层图案化形成沟道区，源漏极层包括层叠设置的第一源漏极层和第二源漏极层，第一源漏极层在与有源层接触的区域形成掺杂区，第一源漏极层的材料与有源层的材料相同，均为半导体材料，但离子掺杂的浓度不同。本申请通过先对半导体材料进行离子掺杂成膜，然后对半导体层进行退火处理，形成有源层的沟道区和第一源漏极层，这样就节约了一次离子掺杂步骤和半导体退火步骤，同时第一源漏极层直接形成有源层的掺杂区，增大了源漏极层与有源层的接触面积，从而减小了源漏极层的电阻。