[发明专利]一种晶圆级芯片结构、多芯片堆叠互连结构及制备方法有效
| 申请号： | 202010426007.5 | 申请日： | 2020-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN111554647B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 严阳阳;曹立强;孙鹏;陈天放;戴风伟 | 申请（专利权）人： | 上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/485;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 刘静 |
| 地址： | 200131 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆级芯片结构、多芯片堆叠互连结构及制备方法，其中晶圆级芯片结构，包括：贯穿晶圆的硅通孔，其第一表面包括：有源区、多层再分布线层以及凸点，其第二表面包括：绝缘介质层，以及与硅通孔相连接的锥台过渡结构。本发明实施例在晶圆背面TSV露头区域与UBM之间引入锥台型阻抗过渡结构，使TSV与UBM之间实现阻抗匹配，改善了因阻抗突变引起的信号畸变问题，和传统方案相比，为了实现本方案的锥台型过渡结构，并未增加光罩数量，而仅在原有工艺基础上，增加一步光刻工艺以及一步反应离子刻蚀工艺，工艺流程并不复杂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 芯片 结构 堆叠 互连 制备 方法 | ||
【主权项】：
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