[发明专利]一种限制型相变单元及其制备方法有效
| 申请号： | 202010426144.9 | 申请日： | 2020-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN111564554B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 钟旻;陈寿面;李铭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;张磊 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种限制型相变单元，自下而上包括相连的底电极、相变材料层和顶电极，相变材料层为采用侧壁沉积相变材料薄膜的方法而形成的至少一个侧壁结构，可大幅降低底电极和相变材料的接触面积，降低相变单元的功耗，避免刻蚀工艺对相变材料造成的损伤，提高器件的可靠性，并能实现全相变操作，有利于提高相变单元整列的阻值一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 限制 相变 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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