[发明专利]一种大功率半导体器件的制造装置及其使用方法在审
| 申请号： | 202010426622.6 | 申请日： | 2020-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN111584402A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 陈国辉 | 申请（专利权）人： | 陈国辉 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种大功率半导体器件的制造装置及其使用方法，属于半导体制作领域，一种大功率半导体器件的制造装置及其使用方法，本方案通过重金属去除箱内部的加热装置使得收集框内的碳酸氢钙分解，并借助气泵将二氧化碳气体抽入至溶液箱内，使得焦性没食子酸蒸汽通过第二导管回流到重金属去除箱内，去除硅片表面的重金属元素，并使得外放置框在重金属去除箱内旋转，使得外延板与外搅拌球囊反复碰撞，并通过摩擦产热可以进一步的促进柱形气囊的膨胀，促进硅片弹出，使得硅片表面的重金属被去除的更加充分，并通过收集框将弹出的硅片收集，并通过收集框内的碳酸钙粉末将硅片表面的水分吸收，提高硅片表面的纯净度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 半导体器件 制造 装置 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陈国辉，未经陈国辉许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010426622.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
