[发明专利]一种有机酸阴离子插层水滑石的制备方法有效
| 申请号： | 202010426741.1 | 申请日： | 2020-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN111875492B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 宋宇飞;张分地;林长亘;陈伟 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C07C53/10 | 分类号： | C07C53/10;C07C51/41;C07C59/08;C07C59/06;C07C57/04;C07C53/122;C07C53/16;C07C63/70;C07C63/04;C07C63/26;C07C201/12;C07C205/57;C07C55/06;C07C5 |
| 代理公司： | 北京太兆天元知识产权代理有限责任公司 11108 | 代理人： | 王宇 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有机酸阴离子插层水滑石的制备方法。该方法直接采用碳酸根水滑石和有机酸为反应物，根据“强酸置弱酸”原理，在醇溶剂中碳酸根水滑石和有机酸反应脱嵌碳酸根，成功的一步制备了单一有机酸阴离子插层水滑石。该制备方法原料易得，工艺流程简单，室温下就可进行无需加热，反应迅速，反应用时很短，具有广泛的适用性，为多种类有机酸阴离子插层水滑石提供了可行的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机酸 阴离子 插层水 滑石 制备 方法 | ||
【主权项】：
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