[发明专利]聚噻吩修饰金属铋掺杂的二氧化铅电极制备方法及其应用在审
| 申请号： | 202010428719.0 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN111606395A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 熊伟;周倩;袁果园;刘德蓉;古建杉;汤毅;李建 | 申请（专利权）人： | 重庆科技学院 |
| 主分类号： | C02F1/461 | 分类号： | C02F1/461;C02F1/467;C02F1/72;C02F101/34 |
| 代理公司： | 重庆市信立达专利代理事务所(普通合伙) 50230 | 代理人： | 陈炳萍 |
| 地址： | 401331 重庆市沙*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： |
本发明属于电极材料制备技术领域，公开了一种聚噻吩修饰金属铋掺杂的二氧化铅电极制备方法及其应用，将钛板进行初步超声清洗，在NaOH溶液中进行碱洗除油，将钛板浸渍到草酸溶液中进行表面粗糙化处理，酸蚀后，从溶液中取出钛板，用去离子水洗净，冷风吹干；以预处理后的钛板为阳极，同等面积大小的钛网为阴极，以含Bi(NO |
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| 搜索关键词： | 噻吩 修饰 金属 掺杂 二氧化铅 电极 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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