[发明专利]一种增强聚对二甲苯薄膜与硅粘附性的方法在审
| 申请号： | 202010429947.X | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN111874861A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 王玮;张美璇 | 申请（专利权）人： | 北京协同创新研究院 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京卫平智业专利代理事务所(普通合伙) 11392 | 代理人： | 张新利;谢建玲 |
| 地址： | 100089 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种增强聚对二甲苯薄膜与硅粘附性的方法，包括以下步骤：1)在待增强粘附性的硅衬底表面进行光刻定义铆钉阵列图形；2)在硅衬底正面进行深硅刻蚀至一定深度，形成铆钉阵列结构；3)去除硅衬底表面残余的光刻胶；4)在硅衬底表面淀积一定厚度的聚对二甲苯，形成平整的聚对二甲苯覆盖层，完成制备。通过深硅刻蚀工艺形成用于增加硅衬底比表面积的铆钉阵列结构，使聚对二甲苯薄膜与硅的粘附力得到显著增强。该方法采用了与现有规模制造工艺兼容的聚对二甲苯微机电系统工艺，适用于制备高性能柔性硅基电子器件，使硅基电子器件与聚对二甲苯柔性裹覆材料在反复弯折变形的过程中不易分层或脱离，保证了柔性硅基电子器件的可靠稳定工作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 二甲苯 薄膜 粘附 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京协同创新研究院，未经北京协同创新研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010429947.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
