[发明专利]一种探测分子手性的方法在审
| 申请号： | 202010430343.7 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN111537446A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 金华伏安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/21 | 分类号： | G01N21/21;G01R33/032 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 322200 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种探测分子手性的方法，应用手性分子在紫外光处对不同偏振的圆偏振光的不同光吸收特性，在半导体线上产生不同的热量，从而改变半导体线的电阻，在电压不变的情况下，改变半导体线中的电流，从而改变半导体线附近的磁场；利用金刚石氮‑空位色心测量磁场的高灵敏性，测量不同圆偏振光时，磁场的差异，确定分子手性。因为半导体线制备简单、手性分子和半导体线的接触面积大，所以本发明具有灵敏度高和使用便捷的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 探测 分子 手性 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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