[发明专利]一种硅片缺陷记录方法及装置在审

专利信息
申请号: 202010430397.3 申请日: 2020-05-20
公开(公告)号: CN111584385A 公开(公告)日: 2020-08-25
发明(设计)人: 李在桓;苏建生 申请(专利权)人: 西安奕斯伟硅片技术有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;胡影
地址: 710065 陕西省西安市*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种硅片缺陷记录方法及装置,所述方法包括:建立硅片的虚拟硅片图,并在所述虚拟硅片图上记录硅片的缺陷信息;根据所述虚拟硅片图上记录的缺陷信息,确定缺陷的类型;根据所述缺陷的类型,确定所述硅片的处理方式。根据本发明实施的硅片缺陷记录方法,可以方便地将硅片的缺陷信息记录在虚拟硅片图上进行保存,便于对硅片缺陷进行记录管理和分析,并可根据对记录的硅片缺陷的分析结果,确定缺陷的类型,从而确定需要对硅片采取的处理方式。
搜索关键词: 一种 硅片 缺陷 记录 方法 装置
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安奕斯伟硅片技术有限公司,未经西安奕斯伟硅片技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010430397.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top