[发明专利]一种硅晶圆降低减薄翘曲的方法在审
| 申请号： | 202010430792.1 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN111710600A | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市天和第三代半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 王忠浩 |
| 地址： | 517000 广东省河源市高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硅晶圆降低减薄翘曲的方法，包括以下步骤：通过自动减薄机将LED芯片的硅晶圆进行磨削，磨削的速度不大于0.3μm/s，磨削后所剩余的晶圆厚度控制在170～300μm之间；通过丙酮清洗磨削后的硅晶圆，洗掉磨削后表面的有机物和脏污；配置硅腐蚀液，静止15分钟以上；使用硅腐蚀液进行化抛处理；进行CMP化抛处理。通过化学抛光和CMP化抛后，可以大量释放磨削表面损失层之间的相互应力，有效减少硅晶圆的翘曲，降低机械式的磨削方法带来的对晶圆表面产生的翘曲，提供一种减薄后进行表面修复的方式。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅晶圆 降低 减薄翘曲 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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