[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202010433142.2 | 申请日： | 2020-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN111987078A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 郑季洋;李在河;裴炳日 | 申请（专利权）人： | 安靠科技新加坡控股私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L21/98;H01L23/48;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 何尤玉;郭仁建 |
| 地址： | 新加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置及制造半导体装置的方法。一种电子装置结构包含衬底，衬底有邻近于表面的导电结构。导电结构包含多个导电衬垫。第一和第二电子装置安置成邻近于顶表面。第一电子装置插置于第一与第二导电衬垫之间，且第二电子装置插置于第二与第三导电衬垫之间。包含第一键合结构的连续导线结构连接到第一导电衬垫，第二键合结构连接到第二导电衬垫，第三键合结构连接到第三导电衬垫，第一导线部分互连于第一与第二键合结构之间且安置成覆于第一电子装置上方，且第二导线部分互连于第二与第三键合结构之间且安置成位于第二电子装置上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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