[发明专利]具有刺形场板结构和电流扩散区的半导体器件在审
| 申请号： | 202010435225.5 | 申请日： | 2020-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN111987149A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | R.西米尼克;M.胡切勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/06;H01L29/739;H01L29/778;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/335;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 毕铮;申屠伟进 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了具有刺形场板结构和电流扩散区的半导体器件。半导体器件包括：半导体衬底，其具有第一导电类型的漂移区、形成在漂移区上方的第二导电类型的体区、以及通过体区与漂移区分离的第一导电类型的源极区；在半导体衬底中形成的多行刺形场板结构，刺形场板结构通过源极区和体区延伸到漂移区中；条形栅极结构，其形成在半导体衬底中并将相邻行刺形场板结构分离；以及第一导电类型的电流扩散区，其形成在半导体台面中的体区下方，所述半导体台面在刺形场板结构中的相邻刺形场板结构之间并且没有条形栅极结构。电流扩散区被配置为增加半导体台面中的沟道电流分布。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 刺形场 板结 电流 扩散 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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