[发明专利]一种插入二维半导体硒化铟纳米片改善二维过渡金属硫族化合物电接触的方法有效
| 申请号： | 202010435764.9 | 申请日： | 2020-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113707560B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 李洋;徐成彦;徐博;甄良 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44;H01L29/47 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 裴闪闪 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： |
一种插入二维半导体硒化铟纳米片改善二维过渡金属硫族化合物电接触的方法。本发明属于电子和光电子领域。本发明是要解决现有改善TMDs电接触方法改善效果不明显，以及绝缘插入层厚度严格受限的技术问题。本发明方法如下：一、通过机械剥离方法制备TMDs层，通过干法转移将TMDs层转移到清洗干净的SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 插入 二维 半导体 硒化铟 纳米 改善 过渡 金属 化合物 接触 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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