[发明专利]具有导电底部填充接地平面的封装在审
申请号: | 202010439066.6 | 申请日: | 2020-05-21 |
公开(公告)号: | CN112086427A | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 尼尚特·拉赫拉;阿希莱什·库马尔·辛格;冯志成 | 申请(专利权)人: | 恩智浦美国有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/31;H01L23/58 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本文提供了封装半导体装置和制造方法的实施例,所述实施例包括一种封装半导体装置,所述封装半导体装置包括:半导体管芯;载体;多个电连接,所述多个电连接形成于所述半导体管芯与所述载体之间;电隔离层,所述电隔离层覆盖所述多个电连接中的每个电连接的外表面;以及导电底部填充结构,所述导电底部填充结构位于所述半导体管芯与所述载体之间并围绕所述多个电连接中的每个电连接,其中所述电隔离层将每个电连接与所述导电底部填充结构电隔离。 | ||
搜索关键词: | 具有 导电 底部 填充 接地 平面 封装 | ||
【主权项】:
暂无信息
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