[发明专利]具有环绕式电极的半导体装置在审

专利信息
申请号: 202010439067.0 申请日: 2020-05-21
公开(公告)号: CN112038399A 公开(公告)日: 2020-12-04
发明(设计)人: 托尼·范胡克;马哈茂德·谢哈布·穆罕默德·阿尔沙蒂 申请(专利权)人: 恩智浦有限公司
主分类号: H01L29/417 分类号: H01L29/417;H01L29/861;H01L29/868
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 庄锦军
地址: 荷兰埃因霍温高科*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种半导体装置的实施例包括第一半导体区域,所述第一半导体区域形成于半导体衬底内;第二半导体区域,所述第二半导体区域形成于所述半导体衬底内;第一电极,所述第一电极耦接到所述第一半导体区域;第二电极,所述第二电极耦接到所述第二半导体区域并且接近所述第一电极,其中所述第二电极被所述第一电极环绕。第三电极可以耦接到所述第一电极和所述第二半导体区域。第四电极可以耦接到所述第一半导体区域并且接近所述第三电极,其中所述第四电极可以耦接到所述第二电极,并且其中所述第三电极包括所述第一电极的共享部分。
搜索关键词: 具有 环绕 电极 半导体 装置
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩智浦有限公司,未经恩智浦有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010439067.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top