[发明专利]薄膜晶体管制备方法以及薄膜晶体管有效
| 申请号： | 202010439482.6 | 申请日： | 2020-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN111599868B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 谭志威 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/10;H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 刁文魁 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管制备方法和薄膜晶体管，薄膜晶体管包括衬底、有源层、钝化层，以及位于钝化层上的源极和漏极，有源层包括背沟道区，背沟道区包括背沟道层、以及设置在背沟道层上的刻蚀修复层，刻蚀修复层提高了薄膜晶体管的稳定性；刻蚀修复层材料的断键数量少于背沟道层材料的断键数量，有效降低了背沟道区中断键的数量。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL华星光电技术有限公司，未经TCL华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010439482.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：包装箱
- 下一篇：一种激光器前向电压的多通道低功耗APC控制电路和方法
- 同类专利
- 专利分类
