[发明专利]基于星状嵌段共聚物的自支撑多级孔碳材料的制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202010442365.5 申请日: 2020-05-22
公开(公告)号: CN111653434B 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 邱丰;刘凤茹;宣晓东;康佳玲;韩生 申请(专利权)人: 上海应用技术大学
主分类号: H01G11/26 分类号: H01G11/26;H01G11/32;H01G11/86;C01B32/05;C08F293/00
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 顾艳哲
地址: 201418 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及基于星状嵌段共聚物的自支撑多级孔碳材料的制备方法和应用,以超支化聚酯H40为大分子引发剂,两步可逆加成‑断裂链转移聚合法制备星状聚酯‑star‑(聚丙烯酸叔丁酯‑b‑聚丙烯腈)嵌段共聚物(H40‑star‑(PtBA‑b‑PAN)),利用静电纺丝手段得到自支撑聚合物膜,通过热交联和高温煅烧制备自支撑多孔碳膜,并对其形貌和结构进行分析。碳化后的多孔碳膜作为柔性电极材料,在柔性固态超级电容器领域具有良好的应用前景。
搜索关键词: 基于 星状 共聚物 支撑 多级 材料 制备 方法 应用
【主权项】:
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