[发明专利]一种IBC晶硅太阳能电池及其制作方法

摘要

本发明提供了一种IBC晶硅太阳能电池及其制作方法，该方法具体为对P型硅片的表面进行制绒处理，在硅片背面生长隧穿氧化层和多晶硅薄膜；对多晶硅薄膜进行磷掺杂处理；将经过磷掺杂的多晶硅薄膜的部分去除，在硅片背面形成顺序排列的多晶硅薄膜区域和P型硅基底区域；对硅片正面制备和硅片背面进行钝化处理；将P型硅基底区域上的钝化层部分去除；分别在P型硅基底区域上和多晶硅薄膜上制备电极。上述步骤制备的IBC晶硅太阳能电池以P型硅片为基础制成，由于P型硅片是硅掺硼得到的，硼与硅分凝系数相当，分散均匀度容易控制，从而使P型硅片的品质较高，解决了现有以N型硅片为基底制作的IBC晶硅太阳能电池质量较差的问题。