[发明专利]薄膜生长装置及薄膜生长方法在审
| 申请号： | 202010446338.5 | 申请日： | 2020-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN111755314A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 蒋志超;罗兴安;胡淼龙;张春雷;王林 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;C23C16/507 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;杨思雨 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了薄膜生长装置及薄膜生长方法。薄膜生长装置包括反应腔室和位于反应腔室内部的用于承载晶片的基板支撑件，以及位于反应腔室顶部的背板和位于背板下方的带有气体通道的气体分配喷淋头，还包括：射频发生器，位于背板上方，用于提供射频电流；射频带，连接背板和射频发生器，形成射频发生器与背板之间的射频通道，将射频电流导入反应腔室；射频带为多个，间隔分布在背板上方，气体在射频电流的作用下解离为射频等离子体，再扩散至晶片上进行薄膜生长。该薄膜生长装置在背板上方设置多个射频带，并从多个方向向反应腔室内导入射频电流，使得反应腔室内产生的等离子体的浓度均匀，使得晶片表面可以形成厚度均匀的薄膜，提高薄膜生长的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
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