[发明专利]鳍体制造方法、鳍式场效应晶体管及一鳍体结构有效
| 申请号： | 202010446428.4 | 申请日： | 2020-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN111599684B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 邱岩栈;陈颖儒;刘立尧;胡展源 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及鳍式场效应晶体管的鳍体结构，涉及半导体集成电路制造技术，该鳍体包括位于半导体衬底上的鳍体的第二部分和位于鳍体的第二部分上的鳍体的第一部分，鳍体的第二部分的靠近半导体衬底侧的宽度大于远离半导体衬底侧的宽度，鳍体的第一部分的靠近鳍体的第二部分侧的宽度小于远离鳍体的第二部分的宽度而形成沙漏形鳍体，该鳍体可有效增加闸极与鳍状场效晶体管的接触面积，因而增强闸极控制能力，并当鳍式场效应晶体管处于关断状态时，对于相同顶部宽度和相同高度的长方体的鳍体，沙漏形鳍体形成的鳍式场效应晶体管的漏电流较小，因此可以在不减少鳍式场效应晶体管的表面积的情况下可减小鳍式场效应晶体管的损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 体制 方法 场效应 晶体管 一鳍体 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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