[发明专利]场效应晶体管源漏电阻的提取方法有效
| 申请号： | 202010446455.1 | 申请日： | 2020-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN111596137B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 李中华;冷江华;田明 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/08 | 分类号： | G01R27/08;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场效应晶体管源漏电阻的提取方法，包括步骤：步骤一、测试得到场效应晶体管线性区的漏极电流和栅压的绝对值形成的第一电学特性曲线，提取线性区阈值电压；步骤二、在高栅压区选取多个采样点，计算各采样点对应的栅压与线性区阈值电压的差值绝对值的倒数并作为第一参数；步骤三、计算各采样点的漏极电压和漏极电流的比值并作为总电阻；步骤四、根据各采样点的第一参数和总电阻形成第二关系曲线；步骤五、将第二关系曲线外延并与纵轴相交，将截距作为源漏电阻。本发明能针对单个晶体管提取源漏电阻，适用于沟道均匀或不均匀掺杂的场效应晶体管，即节省了测试面积，又提高了测试速度，而且提高了电阻提取精度。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 漏电 提取 方法 | ||
【主权项】：
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