[发明专利]MEMS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010446652.3 | 申请日： | 2020-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN111762752A | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 邹波;黄德发 | 申请（专利权）人： | 深迪半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00;B81C3/00;G01L1/18;G01P15/12;G01P15/08 |
| 代理公司： | 上海剑秋知识产权代理有限公司 31382 | 代理人： | 杨飞 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MEMS器件及其制造方法，所述MEMS器件是压阻式压力传感器和惯性传感器的集成器件，其中包括惯性器件层和盖体，所述结构层惯性器件层设置有惯性传感器结构；所述盖体与所述惯性器件层相连接；所述盖体设置有压阻式压力传感器结构。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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