[发明专利]一种高速存储电路DDR2测试装置有效
| 申请号： | 202010448450.2 | 申请日： | 2020-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN111583989B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 马卫东;杜秋平;王帅;何建斌;陈惠玲 | 申请（专利权）人： | 成都思科瑞微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56;H05K7/20 |
| 代理公司： | 成都三诚知识产权代理事务所(普通合伙) 51251 | 代理人： | 成实;饶振浪 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高速存储电路DDR2测试装置，具体涉及信息存储部件检测领域，包括检测PC和电源变压器，所述检测PC连接端还设有检测盒，所述检测PC、电源变压器和检测盒之间均通过数据线连接，所述检测盒包括安装基座和主体壳，所述安装基座顶端中部固定设有安装台，所述安装台顶端设有DDR2内存条。本发明通过安装台与定位架的配合使用，先由第一主体杆进行纵向提拉再进行横向拨动，使定位架整体呈倾斜状，将DDR内存条的插放至安装槽位置，因主体为黄铜材质的定位架吸收DDR2内存条上产生的热量并由散热扇将其排离，读/写数据速度的变化量较小，避免因长时间工作造成的积热影响高速存储电路的正常的测试数据。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高速 存储 电路 ddr2 测试 装置 | ||
【主权项】：
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