[发明专利]一种反应腔室及半导体加工设备在审
| 申请号： | 202010450136.8 | 申请日： | 2020-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN111584405A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 金根浩;李俊杰;李琳;王佳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32;C23C14/35;C23C14/56 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种反应腔室及半导体加工设备，该反应腔室包括：出气口，该出气口与抽气单元连接；第一吸附过滤单元，设置于所述出气口处，用于在该抽气单元抽气时，对抽气气流中携带的副产物进行吸附，以减少副产物在抽气单元上的沉积，如果将过滤板装设于与反应腔室连接的管道上或其他部位，使得维护效率较低，进而在该反应腔室的出气口设置该第一吸附过滤单元，不需要额外维护管道或者其他部位，进而提高了维护效率，同时也有效降低副产物的输出，使得反应腔室出气口连接的抽气单元上沉积的副产物量也减少，避免对抽气单元的损坏，延长抽气单元的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反应 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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