[发明专利]一种非心混阴离子晶体材料及其制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 202010450475.6 申请日: 2020-05-25
公开(公告)号: CN111676517B 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 林华;冉茂银;吴新涛;朱起龙 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C30B29/46 分类号: C30B29/46;C30B1/10;G01V8/10;G01N21/359;H01S3/06;G02F1/355
代理公司: 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 代理人: 谢蓉;吕少楠
地址: 350002 *** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明属于无机非线性光学材料技术领域,具体公开了一种非心混阴离子晶体及其制备方法与应用。该晶体具有如下所示的分子式:SrGeOSe2,其晶体结构属于正交晶系,空间群为P212121。该晶体具有优良的二阶非线性光学性质以及大小适中的双折射率,较宽的透光范围,强的红外倍频响应,其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的1.3倍,且其激光损伤阈值是AgGaS2晶体的36倍,在激光频率转换、近红外探针、光折变信息处理等高科技领域有着重要应用价值,尤其是用于红外探测器和红外激光器。
搜索关键词: 一种 非心混 阴离子 晶体 材料 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院福建物质结构研究所,未经中国科学院福建物质结构研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010450475.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top