[发明专利]铜镍合金及其制备方法和应用、二维材料生长衬底在审
申请号: | 202010450576.3 | 申请日: | 2020-05-25 |
公开(公告)号: | CN111575757A | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 刘忠范;梁宇;李杨立志;孙禄钊;刘海洋;陈步航 | 申请(专利权)人: | 北京石墨烯研究院;北京大学 |
主分类号: | C25D7/06 | 分类号: | C25D7/06;C25D5/34;C25D5/50;C25D3/12;C23C14/16;C23C14/02;C23C14/58;C30B25/18;C30B29/02;B01J23/755 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 司丽琦;于宝庆 |
地址: | 100095 北京市海淀区苏家*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种铜镍合金及其制备方法和应用,以及二维材料生长衬底,该铜镍合金的制备方法包括:对铜箔进行预退火处理;预退火处理后的铜箔经镀镍处理得到铜镍复合箔;及铜镍复合箔经退火合金化处理,得到铜镍合金。本发明通过对铜箔进行预退火处理,可有效解决铜镍原子在退火合金化过程当中因应力释放导致的箔材卷曲、表面粗糙化的问题,得到表面平整度Ra<150nm的铜镍合金。该铜镍合金可作为衬底生长二维材料,例如石墨烯,有效提高石墨烯质量,降低石墨烯转移破损率。本发明的制备方法工艺简单、成本低,对进一步实现和拓展石墨烯的高端应用具有重要的意义。 | ||
搜索关键词: | 镍合金 及其 制备 方法 应用 二维 材料 生长 衬底 | ||
【主权项】:
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