[发明专利]ITO薄膜在审
申请号: | 202010451500.2 | 申请日: | 2020-05-25 |
公开(公告)号: | CN111763911A | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 宋世金;朱刘;任丽 | 申请(专利权)人: | 先导薄膜材料(广东)有限公司 |
主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;C23C14/02;C23C14/35 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 511517 广东省清*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: |
本发明涉及一种ITO薄膜,其包括取向生长层和变温缓冲层。与现有技术相比,本发明的ITO薄膜无需引入异质缓冲层,即可获得透明导电性能优异的择优取向薄膜,该ITO薄膜的禁带宽度 |
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搜索关键词: | ito 薄膜 | ||
【主权项】:
暂无信息
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