[发明专利]一种铁磁/石墨烯/铁磁异质外延薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202010455831.3 | 申请日： | 2020-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN111647942B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 潘孟春;彭俊平;胡悦国;李裴森;邱伟成;胡佳飞;陈棣湘 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B25/18;C30B33/02;C30B23/02;C23C14/30;C23C14/18;C23C14/58;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 张丽娟 |
| 地址： | 410073 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铁磁/石墨烯/铁磁异质外延薄膜，包括石墨烯层以及分别位于石墨烯层上、下表面的第二异质铁磁层和第一异质铁磁层，所述石墨烯层在第一异质铁磁层上直接外延生长得到，所述第二异质铁磁层在石墨烯层上外延生长得到。本发明还公开了前述薄膜的制备方法，本发明具有界面晶格外延特性的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 铁磁异质 外延 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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