[发明专利]一种氮化铝/硅/电可调磁性膜压电驱动结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202010455870.3 | 申请日： | 2020-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN111624530B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 潘孟春;胡佳飞;于洋;李裴森;彭俊平;潘龙;邱伟成;张琦;车玉路 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 张丽娟 |
| 地址： | 410073 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化铝/硅/电可调磁性膜压电驱动结构，包括压电驱动层、硅结构层和电可调磁性膜，所述压电驱动层和电可调磁性膜分别位于硅结构层的上、下表面，所述压电驱动层自下而上依次设有包括底电极、氮化铝层和顶电极，当调控磁场时，在底电极和顶电极之间加载交流电压信号，氮化铝层中产生交流驱动电场并在应力轴方向产生周期性的应变，带动硅结构层产生周期性应变，应变传递至电可调磁性膜，电可调磁性膜的磁导率发生周期性变化，实现对磁场的调控，本发明具有驱动电压低、电滞小且磁场调控效率高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 可调 磁性 压电 驱动 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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