[发明专利]一种铁磁/石墨烯外延界面及其低温制备方法有效
| 申请号： | 202010456078.X | 申请日： | 2020-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN111519186B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 潘孟春;邱伟成;胡佳飞;李裴森;彭俊平;吴瑞楠;胡悦国 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00;C23C16/505;C23C16/26;C23C14/58;C23C14/18;H01L29/16;H01L29/165;H01L43/10 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 张丽娟 |
| 地址： | 410073 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铁磁/石墨烯外延界面的低温制备方法，包括以下步骤：S1、在绝缘基底上生长具有六角对称性晶格属性的铁磁薄膜，绝缘基底为与铁磁薄膜晶格对称性一致的基底；S2、对铁磁薄膜依次进行退火处理和表面还原处理，得到活性单晶薄膜；S3、将活性单晶薄膜置于等离子体化学气相沉积系统中，控制温度、等离子功率等生长模式，结合表面势能诱导在活性单晶薄膜上外延生长石墨烯，关闭等离子体和停止前驱体的通入，降温冷却，得到铁磁/石墨烯外延界面。本发明制备得到的铁磁/石墨烯外延界面的界面结合力强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 外延 界面 及其 低温 制备 方法 | ||
【主权项】：
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