[发明专利]基于近场辐射的可调控换热器件构造方法及系统在审
| 申请号： | 202010456179.7 | 申请日： | 2020-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN111609750A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 赵长颖;张文斌;王博翔;陈杰;陈轶康 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | F28F13/00 | 分类号： | F28F13/00;F28F13/02;F28F13/16;F28F21/02;F28F27/00 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于近场辐射的可调控换热器件构造方法及系统，包括：步骤S1：搭建换热器件主体部分；采用温度监测传感器和电压调控器作为测试调控传感器；步骤S2：通过调控施加在石墨烯上的电压大小，调控换热器件的反馈换热；步骤S3：选择石墨烯和双曲超材料六方氮化硼搭建可调控换热器件；步骤S4：采用近场热辐射的散热机理搭建可调控换热器件；步骤S5：控制近场间距，获取基于近场辐射的可调控换热器件。本发明采用施加石墨烯电压调控，可以实现对近场波谱的选择性调控，保证电子元器件工作在最佳的温度范围，其对应的调控温差可达50摄氏度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 近场 辐射 调控 换热器 构造 方法 系统 | ||
【主权项】：
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