[发明专利]一种基于WB芯片的双面挖腔陶瓷封装工艺在审
| 申请号： | 202010458856.9 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN111599689A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 胡孝伟;代文亮;伊海伦 | 申请（专利权）人： | 上海芯波电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/52;H01L23/10;H01L25/065 |
| 代理公司： | 上海乐泓专利代理事务所(普通合伙) 31385 | 代理人： | 王瑞 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的一种基于WB芯片的双面挖腔陶瓷封装工艺，在陶瓷基板两侧面的芯片贴装位置进行预先挖腔，封装时将WB芯片分别沉到相应的陶瓷腔里并与陶瓷基板连接，连接后进行底面封帽和顶面封帽，在陶瓷基板底面焊接引脚并弯曲成型，完成封装。通过在陶瓷基板两侧面分别设置上挖腔和下挖腔，使得陶瓷基板的空间得到增大，且上挖腔和下挖腔内均设有WB芯片，使得陶瓷基板的封装空间变大，提高了陶瓷封装的空间利用率且降低了陶瓷封装的外形尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 wb 芯片 双面 陶瓷封装 工艺 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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